Транзистор предварительное смещение NPN 50V UMT-3
Артикул: C3588659
Part Number: DTC114WUAT106
Производитель: ROHM
от 0.014800 ₽
В наличии: 2380 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 20 шт. | 0.029300 ₽ |
| 200 шт. | 0.023100 ₽ |
| 600 шт. | 0.019600 ₽ |
| 3000 шт. | 0.017600 ₽ |
| 9000 шт. | 0.015800 ₽ |
| 21000 шт. | 0.014800 ₽ |
Характеристики
| Тип | - |
| Количество | 1 NPN (Pre-Biased) |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 24 |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 3V@2mA,0.3V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 800mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV@10mA,0.5mA |
| Входной резистор | 10kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 0.47 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 1 NPN со встроенными резисторами смещения транзистор 50V 100mA 200mW поверхностный монтаж UMT-3