Nexperia NHDTA123JTR
Артикул: C3588635
Part Number: NHDTA123JTR
Производитель: Nexperia
от 0.009100 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.024600 ₽ |
| 200 шт. | 0.009600 ₽ |
| 500 шт. | 0.009200 ₽ |
| 1000 шт. | 0.009100 ₽ |
Характеристики
| Тип | PNP |
| Количество | 1 PNP Pre-Biased |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 80V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 250mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 100 |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 7V |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | - |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | - |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | - |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 21 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 100mV@10mA,0.5mA |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 150MHz |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
80V 100 100mA 250mW PNP 1 PNP со встроенными резисторами смещения TO-236AB одиночные биполярные транзисторы со встроенными резисторами смещения RoHS