Infineon BCR198TE6327
Артикул: C3588622
Part Number: BCR198TE6327
Производитель: Infineon
от 0.008100 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.022100 ₽ |
| 200 шт. | 0.008600 ₽ |
| 500 шт. | 0.008300 ₽ |
| 1000 шт. | 0.008100 ₽ |
Характеристики
| Тип | PNP |
| Количество | 1 PNP Pre-Biased |
| Ток коллектора (Ic) | 70mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 70 |
| Рабочая температура | - |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 3V@2mA,0.3V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 1.5V@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 62kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1.1 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 300mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 190MHz |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
50V 70 70mA 200mW PNP 1 PNP со встроенными резисторами смещения SOT-23-3 одиночные биполярные транзисторы со встроенными резисторами смещения RoHS