ROHM EMG11T2R
Артикул: C3588591
Part Number: EMG11T2R
Производитель: ROHM
от 0.279500 ₽
В наличии: 200 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.290900 ₽ |
| 10 шт. | 0.286000 ₽ |
| 30 шт. | 0.282700 ₽ |
| 100 шт. | 0.279500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 2 NPN (Pre-Biased) |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 150mW |
| Тип | NPN |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 80 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Рабочая температура | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.1V@5mA,300mV |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 500mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV@5mA,250uA |
| Входной резистор | 2.2kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 21 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
80 150mW 100mA 50V 2 NPN (со встроенными резисторами смещения) EMT-5 сборки биполярных транзисторов со встроенными резисторами смещения RoHS