Транзистор предварительное смещение PNP 50V TO-236-3(SOT-23-3)
Артикул: C3588583
Part Number: DTB114ECHZGT116
Производитель: ROHM
от 0.155200 ₽
В наличии: 10 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.328200 ₽ |
| 50 шт. | 0.254400 ₽ |
| 150 шт. | 0.222800 ₽ |
| 500 шт. | 0.183300 ₽ |
| 3000 шт. | 0.165800 ₽ |
| 6000 шт. | 0.155200 ₽ |
Характеристики
| Тип | - |
| Количество | 1 PNP Pre-Biased |
| Ток коллектора (Ic) | 500mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 56 |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 3V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 500mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV |
| Входной резистор | 10kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 200MHz |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 1 PNP со встроенными резисторами смещения 50V 500mA 200mW поверхностный монтаж TO-236-3(SOT-23-3)