Nexperia NHUMD9F
Артикул: C3588577
Part Number: NHUMD9F
Производитель: Nexperia
от 0.208500 ₽
В наличии: 952 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.426900 ₽ |
| 10 шт. | 0.333300 ₽ |
| 30 шт. | 0.293900 ₽ |
| 100 шт. | 0.244700 ₽ |
| 500 шт. | 0.221700 ₽ |
| 1000 шт. | 0.208500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN, 1 PNP Pre-Biased |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 80V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 350mW |
| Тип | NPN+PNP |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 100 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.6V@10mA,0.3V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 500mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | - |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 4.7 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 100mV@10mA,0.5mA |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 170MHz |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
100 350mW 100mA 80V 1 NPN, 1 PNP со встроенными резисторами смещения TSSOP-6 сборки биполярных транзисторов со встроенными резисторами смещения RoHS