Nexperia NHUMD2F
Артикул: C3588557
Part Number: NHUMD2F
Производитель: Nexperia
от 0.269700 ₽
В наличии: 100 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.279900 ₽ |
| 50 шт. | 0.275500 ₽ |
| 150 шт. | 0.272600 ₽ |
| 500 шт. | 0.269700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN, 1 PNP Pre-Biased |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 80V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 350mW |
| Тип | NPN+PNP |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 70 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 10V |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 3V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 800mV |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 22kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 100mV@10mA,0.5mA |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
70 350mW 100mA 80V 1 NPN, 1 PNP со встроенными резисторами смещения TSSOP-6 сборки биполярных транзисторов со встроенными резисторами смещения RoHS