onsemi FJV3110RMTF
Артикул: C3588524
Part Number: FJV3110RMTF
Производитель: onsemi
от 0.016200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.044200 ₽ |
| 200 шт. | 0.017100 ₽ |
| 500 шт. | 0.016500 ₽ |
| 1000 шт. | 0.016200 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Количество | 1 NPN (Pre-Biased) |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 40V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 100 |
| Рабочая температура | - |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 5V |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | - |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | - |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 13kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | - |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 300mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | 0.1uA |
Описание
40V 100 100mA 200mW NPN 1 NPN (со встроенными резисторами смещения) SOT-23-3 одиночные биполярные транзисторы со встроенными резисторами смещения RoHS