Nexperia NHUMB10F
Артикул: C3588508
Part Number: NHUMB10F
Производитель: Nexperia
от 0.216700 ₽
В наличии: 200 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.443300 ₽ |
| 10 шт. | 0.346400 ₽ |
| 30 шт. | 0.305400 ₽ |
| 100 шт. | 0.252900 ₽ |
| 500 шт. | 0.229900 ₽ |
| 1000 шт. | 0.216700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 2 PNP Pre-Biased Transistors |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 80V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 350mW |
| Тип | - |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 100 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 7V |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | - |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | - |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | - |
| Соотношение сопротивлений резисторов | - |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 100mV@10mA,0.5mA |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 150MHz |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
100 350mW 100mA 80V 2 PNP со встроенными резисторами смещения транзисторы TSSOP-6 сборки биполярных транзисторов со встроенными резисторами смещения RoHS