Верхний-боковой С охлаждением 650 V E-режим GaN транзистор
Артикул: C35293157
Part Number: GS66516T-MR
Производитель: Infineon
от 51.317900 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 54.220400 ₽ |
| 30 шт. | 51.317900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Технология | E-mode |
| Непрерывный ток стока (Id) | 60A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | - |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.7V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 25mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 14.2nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 518pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 5.9pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 126pF |
Описание
650V 60A 1.7V 25mΩ 1 N-канальный N-канальный SMD-4P,9x7.6mm одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS