Нижний-боковой С охлаждением 100V E-режим GaN транзистор
Артикул: C35263386
Part Number: GS61008P-TR
Производитель: Infineon
от 11.305000 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 13.955600 ₽ |
| 10 шт. | 13.330500 ₽ |
| 30 шт. | 12.248100 ₽ |
| 100 шт. | 11.305000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Технология | E-mode |
| Непрерывный ток стока (Id) | 90A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | - |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.7V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 7mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 8nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 600pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 12pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 250pF |
Описание
100V 90A 1.7V 7mΩ 1 N-канальный N-канальный SMD-4P,7.6x4.6mm одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS