Infineon IHW20N120R3
Артикул: C350813
Part Number: IHW20N120R3
Производитель: Infineon
от 6.014400 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 6.178500 ₽ |
| 10 шт. | 6.108600 ₽ |
| 30 шт. | 6.061500 ₽ |
| 90 шт. | 6.014400 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 310W;155W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 20A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | 100uA |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.48V |
| Заряд затвора (Qg) | 211nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.8V |
| Входная ёмкость (Cies) | 1.503nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 50pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 42pF |
| Время задержки включения Td(on) | - |
| Время задержки выключения Td(off) | 387ns;454ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | - |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 950uJ;1.65mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
20A 1.2kV TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS