650V E-режим GaN транзистор
Артикул: C35015561
Part Number: GS-065-008-1-L-MR
Производитель: Infineon
от 4.726800 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 6.909300 ₽ |
| 10 шт. | 5.879600 ₽ |
| 30 шт. | 5.253700 ₽ |
| 100 шт. | 4.726800 ₽ |
Характеристики
| Тип | N-Channel |
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Технология | E-mode |
| Непрерывный ток стока (Id) | 8A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | - |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.7V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 225mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 1.6nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 54pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 0.3pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 14pF |
Описание
650V 8A 1.7V 225mΩ 1 N-канальный N-канальный PDFN-8(5x6) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS