Infineon IGD03N120S7ATMA1
Артикул: C32920109
Part Number: IGD03N120S7ATMA1
Производитель: Infineon
от 1.254300 ₽
В наличии: 122 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.816400 ₽ |
| 10 шт. | 1.597100 ₽ |
| 30 шт. | 1.476800 ₽ |
| 100 шт. | 1.342000 ₽ |
| 500 шт. | 1.280300 ₽ |
| 1000 шт. | 1.254300 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 45W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 10A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2V@3A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 24nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.15V@0.06mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 500pF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 18pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 2pF |
| Время задержки включения Td(on) | 19ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 89ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 210uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 160uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
45W 10A 1.2kV TO-252-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS