GeneSiC Semiconductor G2R1000MT33J
Артикул: C3291150
Part Number: G2R1000MT33J
Производитель: GeneSiC Semiconductor
от 14.356800 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 39.154100 ₽ |
| 200 шт. | 15.151800 ₽ |
| 500 шт. | 14.619800 ₽ |
| 1000 шт. | 14.356800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 3.3kV |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 5A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 74W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 1Ω@20V |
| Заряд затвора (Qg) | 18nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 238pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 2.4pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 10pF |
Описание
3.3kV 5A 3.5V 74W 1Ω@20V 1 N-канальный N-канальный TO-263-7 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS