Кремний карбид (SiC) MOSFET

Кремний карбид (SiC) MOSFET

Артикул: C3290753 Part Number: NVH4L022N120M3S Производитель: onsemi
от 48.679300 ₽ В наличии: 1 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 50.415600 ₽
10 шт. 48.679300 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 1 N-channel
Тип N-Channel
Напряжение сток–исток 1.2kV
Непрерывный ток стока (Id) 68A
Рабочая температура -55℃~+175℃
Рассеиваемая мощность (Pd) 352W
Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) 4.4V
Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) 30mΩ
Заряд затвора (Qg) 151nC
Входная ёмкость (Ciss) 3.175nF
Проходная ёмкость (Crss при Vds) 12pF
Выходная ёмкость (Coss) 146pF

Описание

N-канальный 1.2kV 68A 352W монтаж в отверстия TO-247-4L