800V, 11A, сверхнизкий RDS(on) сверх переход MOSFET
Артикул: C3290739
Part Number: APT34N80B2C3G
Производитель: MICROCHIP
от 4.119100 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 11.231400 ₽ |
| 200 шт. | 4.347400 ₽ |
| 500 шт. | 4.193600 ₽ |
| 1000 шт. | 4.119100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 800V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 11A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 156W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3.9V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 450mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 60nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.585nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 18pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 770pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
156W 800V 11A 3.9V 450mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-247-3 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS