60V, 100A, 6.7mΩ N-канальный MOSFET
Артикул: C3290211
Part Number: TSM100N06CZ C0G
Производитель: Taiwan Semiconductor
от 0.466000 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.271500 ₽ |
| 200 шт. | 0.492300 ₽ |
| 500 шт. | 0.475300 ₽ |
| 1000 шт. | 0.466000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 60V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 100A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 167W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 6.7mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 81nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 4.382nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 339pF |
Описание
60V 100A 4V 167W 6.7mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-220 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS