P-канальный MOSFET, ток:3.0A, напряжение пробоя:80V
Артикул: C3290063
Part Number: SI2387DS-T1-GE3
Производитель: VISHAY
от 7.562300 ₽
В наличии: 534 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 10.923900 ₽ |
| 10 шт. | 9.337500 ₽ |
| 30 шт. | 8.371900 ₽ |
| 100 шт. | 7.562300 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 80V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 3A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 2.5W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 242mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 10.2nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 395pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 7pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 155pF |
Описание
80V 3A 2.5V 2.5W 242mΩ@4.5V 1 P-канальный P-канальный SOT-23-3(TO-236-3) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS