N-канальный RF усилитель
Артикул: C3290016
Part Number: MMBFJ211
Производитель: onsemi
от 0.272100 ₽
В наличии: 2462 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.468700 ₽ |
| 10 шт. | 0.383500 ₽ |
| 30 шт. | 0.347500 ₽ |
| 100 шт. | 0.303200 ₽ |
| 500 шт. | 0.283600 ₽ |
| 1000 шт. | 0.272100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение отсечки затвор–исток (VGS(off)) | 4.5V |
| Напряжение пробоя затвор–исток (Vgss) | 25V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 225mW |
| Ток стока (Idss) | 20mA |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Входная ёмкость (Ciss) | - |
| Конфигурация | Standalone |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | - |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Выходная ёмкость (Coss) | - |
Описание
20mA 225mW 1 N-канальный 25V SOT-23-3 радиочастотные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS