P-канальный MOSFET, ток: -0.67A, напряжение пробоя: -200V
Артикул: C3289940
Part Number: FQT3P20TF_SB82100
Производитель: onsemi
от 0.137100 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.373900 ₽ |
| 200 шт. | 0.144700 ₽ |
| 500 шт. | 0.139600 ₽ |
| 1000 шт. | 0.137100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 200V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 670mA |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 2.5W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 2.7Ω@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 8nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 250pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 10pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 60pF |
Описание
200V 670mA 5V 2.5W 2.7Ω@10V 1 P-канальный P-канальный SOT-223-4 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)