Двойной N&P-канальный обогащение режим MOSFET, ток:7.5A, напряжение:40V
Артикул: C3289719
Part Number: FDS4885C
Производитель: onsemi
от 0.291700 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.796200 ₽ |
| 200 шт. | 0.308600 ₽ |
| 500 шт. | 0.297800 ₽ |
| 1000 шт. | 0.291700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-Channel + 1 P-Channel |
| Тип | N-Channel + P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 40V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 7.5A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1.6W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 42mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 41nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.56nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 110pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 215pF |
Описание
40V 7.5A 5V 1.6W 42mΩ@4.5V 1 N-канальный + 1 P-канальный N-канальный + P-канальный SOIC-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS