VISHAY SIR582DP-T1-RE3
Артикул: C3289509
Part Number: SIR582DP-T1-RE3
Производитель: VISHAY
от 1.910600 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.978800 ₽ |
| 10 шт. | 1.949600 ₽ |
| 30 шт. | 1.930100 ₽ |
| 100 шт. | 1.910600 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 80V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 116A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 92.5W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 3.9mΩ@7.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 33.5nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 3.36nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 9.5pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 1.02nF |
Описание
80V 116A 4V 92.5W 3.9mΩ@7.5V 1 N-канальный N-канальный PowerPAK-SO-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS