VISHAY SISF02DN-T1-GE3
Артикул: C3289433
Part Number: SISF02DN-T1-GE3
Производитель: VISHAY
от 1.569400 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.626300 ₽ |
| 10 шт. | 1.601900 ₽ |
| 30 шт. | 1.585700 ₽ |
| 100 шт. | 1.569400 ₽ |
Характеристики
| Тип | N-Channel |
| Количество | 2 N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 25V |
| Конфигурация | Common Drain |
| Непрерывный ток стока (Id) | 60A |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 5.6mΩ@4.5V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 69.4W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.3V |
| Заряд затвора (Qg) | 26nC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.65nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 90pF |
Описание
25V 60A 69.4W 5.6mΩ@4.5V 2.3V 2 N-канальный PowerPAK1212-8SCD сборки полевых транзисторов (FET, MOSFET) RoHS