1700V SiC траншейный MOSFET
Артикул: C3289295
Part Number: IMBF170R650M1XTMA1
Производитель: Infineon
от 3.656200 ₽
В наличии: 282 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 5.344600 ₽ |
| 10 шт. | 4.548000 ₽ |
| 30 шт. | 4.063500 ₽ |
| 100 шт. | 3.656200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 1.7kV |
| Непрерывный ток стока (Id) | 7.4A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 88W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 5.7V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 650mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 8nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 422pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 1.1pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 12pF |
Описание
N-канальный 1.7kV 7.4A 88W поверхностный монтаж TO-263-7-13