P-канальный MOSFET, ток: -9.7A, напряжение: -100V
Артикул: C3289143
Part Number: IPD19DP10NMATMA1
Производитель: Infineon
от 0.374500 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.019600 ₽ |
| 200 шт. | 0.395600 ₽ |
| 500 шт. | 0.381000 ₽ |
| 1000 шт. | 0.374500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 13.7A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 83W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 186mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 45nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 40pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 140pF |
Описание
100V 13.7A 4V 83W 186mΩ@10V 1 P-канальный P-канальный TO-252-3 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS