1200V SiC траншейный MOSFET
Артикул: C3289091
Part Number: IMZ120R030M1HXKSA1
Производитель: Infineon
от 8.730000 ₽
В наличии: 103 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 12.337000 ₽ |
| 10 шт. | 10.635900 ₽ |
| 30 шт. | 9.598500 ₽ |
| 90 шт. | 8.730000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 1.2kV |
| Непрерывный ток стока (Id) | 56A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 227W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 5.7V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 30mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 63nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.12nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 13pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 116pF |
Описание
N-канальный 1.2kV 56A 227W монтаж в отверстия TO-247-4-1