1200V SiC траншейный MOSFET
Артикул: C3289085
Part Number: AIMW120R035M1HXKSA1
Производитель: Infineon
от 39.510000 ₽
В наличии: 5 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 41.428900 ₽ |
| 30 шт. | 39.510000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 1.2kV |
| Непрерывный ток стока (Id) | 52A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 228W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 5.7V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 35mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 59nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.13nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 11pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 107pF |
Описание
N-канальный 1.2kV 52A 228W монтаж в отверстия TO-247-3-41