Двойной асимметричный N-канальный MOSFET, ток: 50A, напряжение: 25V
Артикул: C3288912
Part Number: BSG0810NDIATMA1
Производитель: Infineon
от 1.584100 ₽
В наличии: 251 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.756600 ₽ |
| 10 шт. | 2.320400 ₽ |
| 30 шт. | 2.046500 ₽ |
| 100 шт. | 1.766100 ₽ |
| 500 шт. | 1.638200 ₽ |
| 1000 шт. | 1.584100 ₽ |
Характеристики
| Тип | N-Channel |
| Количество | 2 N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 25V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 50A |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 4mΩ@4.5V |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 6.25W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2V |
| Заряд затвора (Qg) | 25nC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 3.1nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 110pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 1.9nF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±16V |
Описание
25V 50A 6.25W 4mΩ@4.5V 2V 2 N-канальный TISON-8 сборки полевых транзисторов (FET, MOSFET) RoHS