LDMOS транзистор, мощность:250W, Vdss:65V

LDMOS транзистор, мощность:250W, Vdss:65V

Артикул: C3288709 Part Number: BLP2425M10S250PY Производитель: Ampleon
от 20.516900 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 55.954400 ₽
200 шт. 21.654100 ₽
500 шт. 20.893400 ₽
1000 шт. 20.516900 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип N-Channel
Количество 2 N-Channel
Напряжение сток–исток 65V
Непрерывный ток стока (Id) 28.4A
Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) 95mΩ
Рассеиваемая мощность (Pd) 250W
Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) 2.33V
Рабочая температура -65℃~+150℃
Конфигурация Half-Bridge
Напряжение затвор–исток (Vgs) ±13V

Описание

65V 28.4A 95mΩ 2.33V 250W 2 N-канальный OMP-780-4F-1 радиочастотные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS