N-канальный обогащение-режим латеральный MOSFET, ток: 150mA, напряжение: 110V
Артикул: C3288693
Part Number: MRF6VP121KHR5
Производитель: NXP
от 560.708300 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1529.202300 ₽ |
| 200 шт. | 591.780600 ₽ |
| 500 шт. | 570.984500 ₽ |
| 1000 шт. | 560.708300 ₽ |
Характеристики
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 110V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 150mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1kW |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.4V |
| Рабочая температура | -65℃~+150℃ |
| Входная ёмкость (Ciss) | 539pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 1.27pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 86.7pF |
Описание
110V 150mA 2.4V 1kW NI-1230 радиочастотные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS