P-канальный MOSFET, ток: -2.6A, напряжение: -20V
Артикул: C3288662
Part Number: FDFME2P823ZT
Производитель: onsemi
от 0.020000 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.054400 ₽ |
| 200 шт. | 0.021100 ₽ |
| 500 шт. | 0.020300 ₽ |
| 1000 шт. | 0.020000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 20V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 2.6A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1.4W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 142mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 7.7nC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 405pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 75pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 75pF |
Описание
20V 2.6A 1V 1.4W 142mΩ@4.5V 1 P-канальный P-канальный MicroFET-6(1.6x1.6) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS