P-канальный MOSFET, ток: -53A, напряжение пробоя: -40V
Артикул: C3288631
Part Number: NVTYS014P04M8LTWG
Производитель: onsemi
от 0.252900 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.689000 ₽ |
| 200 шт. | 0.267500 ₽ |
| 500 шт. | 0.257800 ₽ |
| 1000 шт. | 0.252900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 40V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 53A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 44W |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 13.5mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 27nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.69nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 23pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 595pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
44W 40V 53A 3V 13.5mΩ@10V 1 P-канальный P-канальный LFPAK-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS