150W, 28/32V, HF to 1GHz RF мощность LDMOS транзистор
Артикул: C3288599
Part Number: RF3L05150CB4
Производитель: ST
от 77.140900 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 210.382700 ₽ |
| 200 шт. | 81.416500 ₽ |
| 500 шт. | 78.554300 ₽ |
| 1000 шт. | 77.140900 ₽ |
Характеристики
| Тип | - |
| Количество | - |
| Напряжение сток–исток | 90V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 2.5A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 150W |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 1Ω@10V |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.5V |
| Заряд затвора (Qg) | - |
| Рабочая температура | - |
| Входная ёмкость (Ciss) | 70pF |
| Конфигурация | - |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 1.1pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 30pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±8V |
Описание
150W 90V 2.5A 1Ω@10V 2.5V LBB радиочастотные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS