TI IRFD122
Артикул: C3288355
Part Number: IRFD122
Производитель: TI
от 0.179000 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.486100 ₽ |
| 200 шт. | 0.188300 ₽ |
| 500 шт. | 0.182100 ₽ |
| 1000 шт. | 0.179000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 1.1A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 400mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 15nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 450pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 50pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 200pF |
Описание
100V 1.1A 4V 1W 400mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный DIP-4 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)