30V, 0.9A, 30V N-канальный обогащение режим MOSFET

30V, 0.9A, 30V N-канальный обогащение режим MOSFET

Артикул: C3288241 Part Number: PMH400UNEH Производитель: Nexperia
от 0.287500 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
5 шт. 0.295200 ₽
50 шт. 0.291900 ₽
150 шт. 0.289700 ₽
500 шт. 0.287500 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 1 N-channel
Тип N-Channel
Напряжение сток–исток 30V
Непрерывный ток стока (Id) 900mA
Рабочая температура -55℃~+150℃
Рассеиваемая мощность (Pd) 2.23W
Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) 950mV
Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) 460mΩ@4.5V
Заряд затвора (Qg) 930pC@4.5V
Входная ёмкость (Ciss) 45.4pF
Проходная ёмкость (Crss при Vds) 4.4pF
Выходная ёмкость (Coss) 7.3pF

Описание

30V 900mA 950mV 2.23W 460mΩ@4.5V 1 N-канальный N-канальный DFN0606-3 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS