Infineon F411MR12W2M1B76BOMA1
Артикул: C3288029
Part Number: F411MR12W2M1B76BOMA1
Производитель: Infineon
от 149.831900 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 408.633000 ₽ |
| 200 шт. | 158.136100 ₽ |
| 500 шт. | 152.578400 ₽ |
| 1000 шт. | 149.831900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 4 N-Channel |
| Тип | - |
| Напряжение сток–исток | 1.2kV |
| Конфигурация | Half-Bridge |
| Непрерывный ток стока (Id) | 100A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 5.55V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 11.3mΩ@15V |
| Заряд затвора (Qg) | 248nC@15V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 7.36nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 56pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 440pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | - |
Описание
1.2kV 100A 5.55V 11.3mΩ@15V 4 N-канальный AG-EASY1B-2 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS