Infineon IMBG65R039M1HXTMA1
Артикул: C3283308
Part Number: IMBG65R039M1HXTMA1
Производитель: Infineon
от 9.430000 ₽
В наличии: 10 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 9.968400 ₽ |
| 10 шт. | 9.737200 ₽ |
| 30 шт. | 9.583600 ₽ |
| 100 шт. | 9.430000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 54A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 211W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 5.7V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 51mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 41nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.393nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 15pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 208pF |
Описание
650V 54A 5.7V 211W 51mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-263-7 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS