Встроенный задание смещения цепь MOS FET микросхема, ток:25mA, напряжение:12V

Встроенный задание смещения цепь MOS FET микросхема, ток:25mA, напряжение:12V

Артикул: C3283295 Part Number: BB304CDW-TL-E Производитель: RENESAS
от 0.060800 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 0.165600 ₽
200 шт. 0.064100 ₽
500 шт. 0.061900 ₽
1000 шт. 0.060800 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество -
Напряжение сток–исток 12V
Непрерывный ток стока (Id) 25mA
Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) -
Рассеиваемая мощность (Pd) 100mW
Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) 1V
Заряд затвора (Qg) -
Рабочая температура -55℃~+150℃
Входная ёмкость (Ciss) 3.6pF
Конфигурация -
Проходная ёмкость (Crss при Vds) 50fF
Выходная ёмкость (Coss) 2pF

Описание

12V 25mA 1V 100mW радиочастотные полевые транзисторы (FET, MOSFET)