100V, N-канальный, обогащение режим MOSFET
Артикул: C3283270
Part Number: PMV280ENEA215
Производитель: Nexperia
от 0.024300 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.066300 ₽ |
| 200 шт. | 0.025700 ₽ |
| 500 шт. | 0.024800 ₽ |
| 1000 шт. | 0.024300 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 1.1A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 700mW |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.7V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 385mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 6.8nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 190pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 9pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 13pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
700mW 100V 1.1A 2.7V 385mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)