Двойной N-канальный обогащение режим MOSFET, ток:30A, напряжение:30V
Артикул: C3283258
Part Number: BSZ0908NDXTMA1
Производитель: Infineon
от 0.101300 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.276000 ₽ |
| 200 шт. | 0.106900 ₽ |
| 500 шт. | 0.103100 ₽ |
| 1000 шт. | 0.101300 ₽ |
Характеристики
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 30A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 2.3W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 18mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 6.4nC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 730pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 34pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 293pF |
Описание
30V 30A 2V 2.3W 18mΩ@10V N-канальный WISON-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS