Infineon IMBG65R163M1HXTMA1
Артикул: C3283198
Part Number: IMBG65R163M1HXTMA1
Производитель: Infineon
от 2.350200 ₽
В наличии: 3 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 3.775000 ₽ |
| 10 шт. | 3.226400 ₽ |
| 30 шт. | 2.900500 ₽ |
| 100 шт. | 2.571300 ₽ |
| 500 шт. | 2.419000 ₽ |
| 1000 шт. | 2.350200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 17A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 85W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 5.7V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 217mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 10nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 320pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 4.8pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 45pF |
Описание
650V 17A 5.7V 85W 217mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-263-7 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS