Один N-канальный MOSFET, ток:758mA, напряжение:12V
Артикул: C3283111
Part Number: NTNS3C68NZT5G
Производитель: onsemi
от 0.036500 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.099400 ₽ |
| 200 шт. | 0.038500 ₽ |
| 500 шт. | 0.037100 ₽ |
| 1000 шт. | 0.036500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 12V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 758mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 156mW |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 440mΩ@1.8V |
| Заряд затвора (Qg) | 1.8nC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 67pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 8.5pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 19pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±8V |
Описание
156mW 12V 758mA 1V 440mΩ@1.8V 1 N-канальный N-канальный одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)