30V, 230mA P-канальный траншейный MOSFET
Артикул: C3282661
Part Number: NX3008PBK/DG/B2215
Производитель: NXP
от 0.012200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.033200 ₽ |
| 200 шт. | 0.012900 ₽ |
| 500 шт. | 0.012400 ₽ |
| 1000 шт. | 0.012200 ₽ |
Характеристики
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 230mA |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 350mW |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.1V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 4.1Ω@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 720pC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 46pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 2.3pF |
Описание
30V 230mA 1.1V 350mW 4.1Ω@4.5V P-канальный одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)