H-мост логические микросхемы-уровень мощность DMOS сборка, ток:3A, напряжение:60V
Артикул: C3282479
Part Number: TPIC5424LDW
Производитель: TI
от 0.757600 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.064500 ₽ |
| 200 шт. | 0.799300 ₽ |
| 500 шт. | 0.771500 ₽ |
| 1000 шт. | 0.757600 ₽ |
Характеристики
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 60V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 1A |
| Рабочая температура | -40℃~+125℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1.389W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.2V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 480mΩ@5V |
| Заряд затвора (Qg) | 5nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 275pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 125pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 150pF |
Описание
60V 1A 2.2V 1.389W 480mΩ@5V N-канальный одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)