Один P-канальный обогащение-режим MOSFET, ток:1.45A, напряжение:30V

Один P-канальный обогащение-режим MOSFET, ток:1.45A, напряжение:30V

Артикул: C3282310 Part Number: MGSF3455XT1 Производитель: onsemi
от 0.109400 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 0.298100 ₽
200 шт. 0.115400 ₽
500 шт. 0.111300 ₽
1000 шт. 0.109400 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип P-Channel
Напряжение сток–исток 30V
Непрерывный ток стока (Id) 1.45A
Рабочая температура -55℃~+150℃
Рассеиваемая мощность (Pd) 400mW
Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) 1V
Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) 100mΩ@10V
Заряд затвора (Qg) 3nC
Входная ёмкость (Ciss) -
Проходная ёмкость (Crss при Vds) 10pF
Выходная ёмкость (Coss) 50pF

Описание

30V 1.45A 1V 400mW 100mΩ@10V P-канальный одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)