1000V, 38A, 0.260Ω обогащение режим MOSFET

1000V, 38A, 0.260Ω обогащение режим MOSFET

Артикул: C3281722 Part Number: APT10026L2FLLG Производитель: MICROCHIP
от 31.479800 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 85.854100 ₽
200 шт. 33.224900 ₽
500 шт. 32.056800 ₽
1000 шт. 31.479800 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 1 N-channel
Тип N-Channel
Напряжение сток–исток 1kV
Непрерывный ток стока (Id) 38A
Рабочая температура -55℃~+150℃
Рассеиваемая мощность (Pd) 893W
Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) 5V
Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) 260mΩ@10V
Заряд затвора (Qg) 267nC@10V
Входная ёмкость (Ciss) 7.114nF
Проходная ёмкость (Crss при Vds) 224pF
Выходная ёмкость (Coss) 1.268nF

Описание

1kV 38A 5V 893W 260mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-264-3(TO-264AA) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS