TI RF1S640SM
Артикул: C3281675
Part Number: RF1S640SM
Производитель: TI
от 1.024600 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.794400 ₽ |
| 200 шт. | 1.081700 ₽ |
| 500 шт. | 1.043100 ₽ |
| 1000 шт. | 1.024600 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 200V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 18A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 125W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 180mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 64nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.275nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 100pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 400pF |
Описание
200V 18A 4V 125W 180mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-263AB одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)