VISHAY SIHD6N80AE-GE3
Артикул: C3281470
Part Number: SIHD6N80AE-GE3
Производитель: VISHAY
от 1.424800 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.232300 ₽ |
| 10 шт. | 1.964200 ₽ |
| 30 шт. | 1.818000 ₽ |
| 100 шт. | 1.532100 ₽ |
| 500 шт. | 1.459000 ₽ |
| 1000 шт. | 1.424800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 800V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 5A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 62.5W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 950mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 22.5nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 422pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 4pF |
Описание
800V 5A 4V 62.5W 950mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-252AA одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS