30V, 64A, N-канальный MOSFET
Артикул: C3281363
Part Number: FDD6670S
Производитель: onsemi
от 0.384200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.043900 ₽ |
| 200 шт. | 0.405300 ₽ |
| 500 шт. | 0.390700 ₽ |
| 1000 шт. | 0.384200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 64A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 100W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 12.5mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 24nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.01nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 186pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 526pF |
Описание
30V 64A 3V 100W 12.5mΩ@4.5V 1 N-канальный N-канальный TO-252(DPAK) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS